La conferencia tiene por objeto recoger los últimos avances realizados en el campo de los dispositivos electrónicos, en particular en las siguientes áreas:

ÁREAS HORIZONTALES

1. Materiales, tecnología y simulación de procesos: Tecnologías de fabricación de materiales en volumen (Czochralski, Bridgman, etc) y en superficie (LPE, MBE, MOVPE…). Desarrollo de materiales semiconductores. Tecnologías de proceso de semiconductores: tratamiento de sustratos, fotolitografía, ataque químico, difusión, implantación iónica, aislamiento, depósito de metales y aislantes, contactos óhmicos, etc. así como su simulación.
2. Modelado y simulación de dispositivos: Modelos estadísticos, numéricos y analíticos de aspectos electrónicos, ópticos y físicos de los dispositivos. Se incluyen modelos físicos y circuitales de dispositivos y su interconexión.
3. Caracterización y fiabilidad: Caracterización de material con posible aplicación a dispositivos electrónicos (SIMS, XPS, fotoluminiscencia, efecto Hall, difractometría de rayos X, microscopía, Auger, RBS, etc.) y de dispositivo (eficiencia cuántica, curvas I-V y C-V, TLM, etc). Fiabilidad de dispositivos, análisis de fallos, electromigración, experimentos de degradación acelerada y en tiempo real, etc.

AREAS VERTICALES (TIPOS DE DISPOSITIVOS)

1. Sensores, actuadores, microsistemas y MEMS: Dispositivos, estructuras y su integración para construir sensores, actuadores, microsistemas y MEMS. Se incluyen sensores para detección biológica, molecular, física y química así como sensores integrados. También se incluyen dispositivos micro-ópticos y generadores microenergéticos.
2. Dispositivos fotovoltaicos, optoelectrónicos y pantallas (“displays”): Células solares de silicio, semiconductores III-V, semiconductores II-VI, orgánicas y de banda intermedia, además de otros dispositivos fotovoltaicos como termofotovoltaicos, convertidores de luz monocromática, etc. Dispositivos optoelectrónicos como diodos emisores de luz (LEDs), láseres, moduladores, así como estructuras del tipo de cristales fotónicos. En cuanto a pantallas, se incluyen CCDs, TFTs, cristales líquidos, dispositivos amorfos, policristalinos y orgánicos.
3. Micro y nanodispositivos: Dispositivos y estructuras nanoelectrónicos como nanotubos, nanohilos y puntos cuánticos. Dispositivos para aplicaciones bioelectrónicas, dispositivos espintrónicos, así como moleculares.
4. Dispositivos de RF, microondas y potencia: Dispositivos discretos e integrados alta potencia/tensión/corriente. Se incluyen FETs, HBTs, dispositivos de alta potencia y de microondas, incluyendo componentes para RF integrados como conmutadores, condensadores e inductancias.