Temas de interés

 

Áreas de interés

 

La conferencia tiene por objeto recoger los últimos avances realizados en el campo de los dispositivos electrónicos, en particular en las siguientes áreas:

 

ÁREAS HORIZONTALES

 

  • Materiales y procesos tecnológicos: Tecnologías de fabricación de materiales en volumen (Czochralski, Bridgman, etc) y en superficie (LPE, MBE, MOVPE…). Desarrollo de materiales semiconductores. Materiales orgánicos. Procesos tecnológicos así como su simulación: tratamiento de sustratos, fotolitografía, e-beam litografía, ataque químico, FIB, difusión, implantación iónica, depósito de metales y aislantes, contactos óhmicos, etc. Integración heterogénea para harvesting de energía y fotónica.
  • Modelado y simulación de dispositivos: Modelos estadísticos, numéricos y analíticos de aspectos electrónicos, ópticos y físicos de los dispositivos. Se incluyen modelos físicos y circuitales de dispositivos y su interconexión.
  • Caracterización y fiabilidad: Caracterización de material con posible aplicación a dispositivos electrónicos (SIMS, XPS, fotoluminiscencia, efecto Hall, difractometría de rayos X, microscopía, Auger, RBS, etc.) y de dispositivo (eficiencia cuántica, curvas I-V y C-V, TLM, etc). Fiabilidad de dispositivos, análisis de fallos, electromigración, experimentos de degradación acelerada y en tiempo real, etc.

 

AREAS VERTICALES (TIPOS DE DISPOSITIVOS)

 

  • Sensores, actuadotes y micro/nanosistemas: Dispositivos, estructuras y su integración para construir sensores, actuadores, microsistemas y MEMS. Se incluyen sensores para detección biológica, molecular, física y química así como sensores integrados. También se incluyen dispositivos micro-ópticos y generadores microenergéticos.
  • Dispositivos fotovoltaicos, optoelectrónicos y pantallas (“displays”):Células solares de silicio, de semiconductores III-V y II-VI, orgánicas y de banda intermedia. Otros dispositivos fotovoltaicos como termofotovoltaicos, convertidores de luz monocromática, etc. Dispositivos optoelectrónicos como LEDs, láseres, moduladores, así como estructuras del tipo de cristales fotónicos. En cuanto a pantallas, se incluyen CCDs, TFTs, cristales líquidos, dispositivos amorfos, policristalinos y orgánicos.
  • Dispositivos emergentes: Dispositivos y estructuras nanoelectrónicos como nanotubos, nanohilos y puntos cuánticos. Dispositivos para aplicaciones bioelectrónicas. Dispositivos magnéticos, nanofotónicos, espintrónicos, así como moleculares. Dispositivos para terahertzios.
  • Dispositivos de RF, microondas y potencia: Dispositivos discretos e integrados alta potencia/tensión/corriente. Se incluyen FETs, HBTs, dispositivos de alta potencia y de microondas, incluyendo componentes para RF integrados como conmutadores, condensadores e inductancias